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NP82N06MLG, NP82N06NLG
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
TO-220 (MP-25K)
TO-262 (MP-25SK)
10.0 ± 0.2
φ 3.8 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
10.0 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
4
1
2
3
1
2
3
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2 2.5 ± 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2 2.5 ± 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Gate
Protection
Diode
Source
Diode
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
6
Data Sheet D19802EJ1V0DS
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